[发明专利]一种Nb3Sn超导块材的制备方法无效
| 申请号： | 201210500918.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103021563A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的目的是为了克服现有Nb3Sn超导材料性能的不足，提供一种具有高性能的Nb3Sn超导块材的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)∶(1.8-1.95)∶(0.025-0.2)配制并混合均匀，将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导块材；将得到的块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导块材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nb sub sn 超导 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Nb3Sn超导块材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8‑0.975)：(1.8‑1.95)：(0.025‑0.2)配制并混合均匀，将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导块材；将得到的块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃‑800℃保温1.5‑3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导块材。
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