[发明专利]改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法有效
| 申请号： | 201210501003.4 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103019042A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，该方法对高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域进行反转，得到透光区域与所述正性光刻胶掩膜板透光区域相反的低透光率掩膜板，并以所述反转后得到的低透光率掩膜板为曝光掩膜板，采用负性光刻胶对晶圆片进行曝光显影。从而有效地减少了曝光过程中透镜受热的能量，降低了在连续曝光晶圆片之后透镜受热膨胀的程度，因而使得套刻精度保持稳定，提高了晶圆片的良品率以及工艺生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 透光率 掩膜板套刻 精度 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善高透光率掩膜板套刻精度稳定性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：对高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域进行反转，得到透光区域与所述高透光率正性光刻胶掩膜板透光区域相反的低透光率掩膜板；以所述反转后得到的低透光率掩膜板为曝光掩膜板，采用负性光刻胶对晶圆片进行曝光显影。
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