[发明专利]一种微纳米散斑制作方法无效
| 申请号： | 201210501039.2 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102981360A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 谢惠民;吴丹;唐敏锦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B81C1/00;G01B11/16 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种微纳米散斑制作方法，包括：利用计算机软件生成优化散斑图；对硅片或石英片进行切割、清洗、烘干、涂覆抗蚀剂的预处理；按照优化散斑图，对硅片或石英片进行电子束曝光；对曝光后的硅片或石英片进行显影、刻蚀、去除残留抗蚀剂、清洗的后处理，得到表面带有优化散斑图的散斑压印模板；对试件进行清洗，涂覆热塑性胶；将散斑压印模板与试件紧密贴合，置于热压印箱平台进行热压印；以及脱模，对热压印后的试件进行刻蚀和去除残留热塑性胶，得到表面具有散斑图的试件。本发明具有质量可控、成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微纳米散斑制作方法，其特征在于，包括：A.利用计算机软件生成优化散斑图；B.对硅片或石英片进行切割、清洗、烘干、涂覆抗蚀剂的预处理；C.按照所述优化散斑图，对所述硅片或石英片进行电子束曝光；D.对曝光后的所述硅片或石英片进行显影、刻蚀、去除残留抗蚀剂、清洗的后处理，得到表面带有所述优化散斑图的散斑压印模板；E.对试件进行清洗，涂覆热塑性胶；F.将散斑压印模板与所述试件紧密贴合，置于热压印箱平台进行热压印；以及G.脱模，对热压印后的所述试件进行刻蚀和去除残留热塑性胶，得到表面具有散斑图的试件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210501039.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
