[发明专利]一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法，该氟化钇锂单晶体是一种稀土离子Ho3+/Pr3+共掺杂的单晶体，其分子式为LiY(1-x-y)HoxPryF4，其中0.004≤x≤0.08，0.0002≤y≤0.01；该氟化钇锂单晶体2.9µm的荧光发射效率高，在中红外的透过率高，比玻璃态材料的热学、机械、化学稳定性优异，具有声子能量低、300~5500nm宽波段光学透过性高、色心形成量少、热透镜效应低等特点，更加容易加工，更适合于在激光器件中的应用；本发明制备方法采用密封坩锅下降法技术，操作简单，对原料进行高温氟化处理，并采用绝水、绝氧的密封环境，使得晶体生长过程中与空气和水汽隔绝，得到几乎不含-OH离子与氧化物的高质量的Ho3+/Pr3+共掺杂LiYF4单晶体。

主权项

一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体，其特征在于该氟化钇锂单晶体是一种稀土离子Ho3+/Pr3+共掺杂的单晶体，其分子式为LiY(1‑x‑y)HoxPryF4，其中0.004≤x≤0.08，0.0002≤y≤0.01。