[发明专利]液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法有效
| 申请号： | 201210505247.X | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103018974A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 辛燕霞;朴承翊;杨玉清;石天雷;杨慧光 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法，涉及液晶显示领域，简化阵列基板的层间结构和阵列基板的生产工艺。本发明实施例多晶硅阵列基板包括多晶硅TFT，还包括：与多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，公共电极与像素电极相对设置，公共电极和像素电极中位于上方的电极为狭缝状电极。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 多晶 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅阵列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，还包括：与所述多晶硅TFT的有源层同层设置的像素电极，与所述多晶硅TFT的栅极同层设置的公共电极，所述公共电极与所述像素电极相对设置，所述公共电极和像素电极两者中位于上方的电极为狭缝状电极。
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