[发明专利]大量合成纳米氧化亚铜空心立方体结构的方法无效
| 申请号： | 201210505339.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103121704A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 杜希文;刘辉;周玥 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大量合成纳米氧化亚铜空心立方体结构的方法，步骤为：（1）以CuCl为原料，用pH=0～1的稀HCl清洗至溶液呈无色；（2）将纯净的CuCl溶液按1：100的体积比加入到pH值为5～7的水中，放置0.5h～2.5h，制得空心立方体结构的纳米Cu2O。本发明纳米Cu2O的尺寸均匀，操作方法简单，不含有毒有害物质，是一种新型的绿色环保的可以大量合成纳米Cu2O材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 大量 合成 纳米 氧化亚铜 空心 立方体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种大量合成纳米氧化亚铜空心立方体结构的方法，具有如下步骤：（1）以CuCl为原料，用pH=0～1的稀HCl清洗CuCl，清洗至溶液呈无色,得到含有纯净的CuCl白色粉末的酸性溶液。（2）将步骤（1）的纯净的CuCl溶液按1：100的体积比加入到pH值为5～7的水中，放置0.5～2.5h，制得空心立方体结构的纳米Cu2O。
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