[发明专利]具有高亮度高发光效率的外延生长结构

摘要

本发明涉及一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，所述具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层。本发明通过电子溢出阻挡层与P型化合物半导体材料层共同阻挡电子的溢出，增加有源区的复合电子数量，从而有效地提高制备得到发光器件的发光效率，提高LED芯片的发光亮度及发光效率，与现有工艺兼容，工艺方便，结构紧凑，安全可靠。

主权项

一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；其特征是：所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5），所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6）。