[发明专利]鳍结构制造方法有效
| 申请号： | 201210505760.9 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103855009B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;罗军;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括在衬底上形成构图的图案转移层；在图案转移层的侧壁上形成第一侧墙；在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；选择性去除图案转移层和第一侧墙；以及以第二侧墙为掩模，对衬底进行构图，以形成初始鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍结构的方法，包括：在衬底上形成构图的图案转移层；在图案转移层的侧壁上形成与图案转移层相同材料的第一侧墙，第一侧墙与图案转移层的侧壁邻接；在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙，第二侧墙与第一侧墙的侧壁邻接；同时选择性去除图案转移层和第一侧墙；以及以第二侧墙为掩模，对衬底进行构图，以形成初始鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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