[发明专利]半导体发光元件、其制造方法及半导体发光元件制造系统

摘要

本发明公开了制造半导体发光元件的方法。该方法包括：电容测量步骤，其中在形成p型电极和n型电极后，电容测量部分测量p型电极和n型电极之间的电容；杂质浓度分布计算步骤，其中杂质浓度分布计算部分从测量的电容计算杂质浓度分布；以及第一杂质浓度分布控制步骤，其中第一杂质浓度分布控制部分通过控制MOCVD部分而控制，使得在下一批次或基板中形成发光层时可获得最大发光输出，以所计算的杂质浓度分布的最小值作为特征量。根据本发明，可抑制设计掺杂浓度和深度方向上浓度分布的制造差异（生产波动），并且可改善且稳定发光输出。

主权项

一种制造半导体发光元件的方法，用于通过MOCVD部分在单晶基板上形成具有多量子阱结构的发光层且用于形成p型电极和n型电极以给该发光层提供电流，该方法包括：电容测量步骤，其中，在形成该p型电极和该n型电极后，电容测量部分测量该p型电极和该n型电极之间的电容；杂质浓度分布计算步骤，其中杂质浓度分布计算部分由所测量的电容计算该发光层的杂质浓度分布；以及第一杂质浓度分布控制步骤，其中第一杂质浓度分布控制部分控制杂质浓度，从而以所计算的杂质浓度分布的杂质浓度的最低值作为特征量，在形成下一发光层时可获得最大发光输出。