[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210506159.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103077943A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。该阵列基板中的栅极绝缘层和钝化层通过采用分层结构结合退火工艺、分层结构可最大程度的钝化层中以及外界环境中含氢的基团，可有效避免氢基团对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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