[发明专利]氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构有效
| 申请号： | 201210506365.2 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969418A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 垂直 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层，该N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层，该多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层，该P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层，该ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层，该绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层，该导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极，该P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极，该金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。
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