[发明专利]一种电子可编程熔丝电路有效
申请号: | 201210506423.1 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN102982845A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 张立军;汪齐方;王子欧;王媛媛;郑坚斌 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开提供了一种电子可编程熔丝电路,所述电子可编程熔丝电路中,电路单元只包括熔丝单元和第一薄氧MOS管,每一列电路单元共用一个厚氧MOS管,与现有技术相比,极大的减小了厚氧MOS管的数量,解决了现有技术中每个电路单元均需采用厚氧MOS管而导致的占用电路面积的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子 可编程 电路 | ||
【主权项】:
一种电子可编程熔丝电路,其特征在于,包括阵列单元和m个厚氧MOS管;其中:所述阵列单元包括n×m个电路单元,所述电路单元包括熔丝单元和第一薄氧MOS管,所述熔丝单元的第一端与所述第一薄氧MOS管的漏极相连;所述阵列单元中每一列电路单元中的熔丝单元的第二端连接第一电压发生端;每一列电路单元中的第一薄氧MOS管的源极与一个厚氧MOS管的漏极相连;所述阵列单元中每一行电路单元中的第一薄氧MOS管的栅极连接一个第一电平发射端;所述m个厚氧MOS管的源极均接地,每一个厚氧MOS管的栅极连接一个第二电平发射端;其中,n和m均为正整数。
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