[发明专利]193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用有效

专利信息
申请号: 201210506441.X 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN102981204A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 朱菁;杨宝喜;曾爱军;陈明;黄惠杰 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G03F7/20
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种193nm熔石英光栅起偏器及其在光刻设备中的应用,该光栅式起偏器在熔石英薄片的表面上刻有一定图形的光栅,该光栅为亚波长周期、深刻蚀光栅,该光栅的线密度为5260~5400线/mm,深度为1.1~1.2μm,占空比为30%~40%。该熔石英光栅起偏器是直接在紫外可透的光学薄片上制作光栅,能够有效避免能量损耗,并提高光学元件的稳定性。加工工艺成熟,精度高,能有效降低起偏器的成本。采用熔石英光栅起偏器,获得的偏振光偏振纯度高。而且同多层膜式起偏器相比,光栅对光束的入射方向不敏感,机械对准精度要求低,容易实现。光栅起偏器的厚度小,占用空间少,可放置在光刻照明系统多个位置,位置选择更加灵活。
搜索关键词: 193 nm 石英 光栅 起偏器 及其 光刻 设备 中的 应用
【主权项】:
一种用于光刻设备中调整193nm紫外光束偏振状态的熔石英光栅起偏器,其特征是在熔石英薄片的表面上刻有一定图形的光栅,该光栅为亚波长周期、深刻蚀光栅,该光栅的线密度为5260~5400线/mm,深度为1.1~1.2μm,占空比为30%~40%。
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