[发明专利]N型MOSFET的制造方法在审
| 申请号： | 201210506466.X | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103855013A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;许高博;周华杰;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种N型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上限定N型MOSFET的有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层；在高K栅介质层上形成金属栅层；在金属栅层中注入掺杂离子；在金属栅层上形成多晶硅层；将多晶硅层、金属栅层、高K栅介质层和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；以及形成源/漏区。利用源/漏退火时使得金属栅中的掺杂离子在界面处堆积和生成合适极性的电偶极子，分别实现对N型MOSFET的金属栅有效功函数的调节。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上限定N型MOSFET的有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层；在高K栅介质层上形成金属栅层；在金属栅层中注入掺杂离子；在金属栅层上形成多晶硅层；将多晶硅层、金属栅层、高K栅介质层和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；以及形成源/漏区，其中，在形成源/漏区的激活退火期间，使得金属栅中的掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质层与金属栅层之间的上界面和高K栅介质层与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质层与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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