[发明专利]一种提升接触电阻均匀性的方法在审
| 申请号： | 201210507058.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945826A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 孔秋东 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提升接触电阻均匀性的方法，包括：提供形成有层间介质层的晶圆；在所述层间介质层上形成硬掩膜层；研磨所述硬掩膜层和层间介质层，至层间介质层达到所需厚度。由于硬掩膜层保护作用，层间介质层较薄的部位不会被研磨液和研磨垫的作用消耗，得到厚度更均匀的层间介质层，进而得到更均匀的接触电阻的分布。有着方法简便，工艺成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 接触 电阻 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提升接触电阻均匀性的方法，包括：提供形成有层间介质层的晶圆；在所述层间介质层上形成硬掩膜层；研磨所述硬掩膜层和层间介质层，至层间介质层达到所需厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210507058.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掩膜只读存储器的制造方法
- 下一篇：混药预灌封注射器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
