[发明专利]SONOS存储器的制作方法在审
| 申请号： | 201210507123.5 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945833A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 徐爱斌;莘海维;包德君 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS存储器的制造方法，包括：在衬底中的有源区上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层和第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层、氮化硅层、第一二氧化硅层构成ONO薄膜层；在ONO薄膜层上沉积多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，在所述ONO薄膜层上形成多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极和ONO薄膜层上沉积保护二氧化硅层；对所述多晶硅栅极进行高温氧化；进行刻蚀工艺，去除位于衬底上的ONO薄膜层，形成电荷存储单元。本发明有效降低了栅极多晶硅的底部被侵入氧化成二氧化硅而导致多晶硅栅极边缘处ONO薄膜层太厚的不良效应，从而使存储器在执行擦除操作时能完全擦除，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底中的有源区上形成第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上沉积氮化硅层；在氮化硅层上形成第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层、氮化硅层、第一二氧化硅层构成ONO薄膜层；在ONO薄膜层上沉积多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，在所述ONO薄膜层上形成多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极和ONO薄膜层上沉积保护二氧化硅层；对所述多晶硅栅极进行高温氧化；进行刻蚀工艺，去除位于衬底上的ONO薄膜层，形成电荷存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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