[发明专利]一种两面光泽度不同的单晶硅晶圆腐蚀片的加工方法

摘要

本发明涉及一种两面光泽度不同的单晶硅晶圆腐蚀片的加工方法，包括如下步骤：1)将硅片双面去除量控制在32±2μm；2)配制混酸，3)将研磨后的单晶硅晶圆片按每2片为一组插片，4)进行腐蚀，5)在每回合腐蚀结束后，排酸腐蚀液和补充新酸，本发明采用2片单晶硅晶圆片的负解理面相对的插片方式及酸腐蚀工艺可以制备正解理面有较高光泽度、较低粗糙度，负解理面有较低光泽度、较高粗糙度的腐蚀片晶圆，使半导体器件厂商容易的辨别正负解理面，从而克服因解理面物理性质不同造成的电学性质差异，有利于提高加工良率。

主权项

一种两面光泽度不同的单晶硅晶圆腐蚀片的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1) 将硅片双面去除量控制在：在32±2μm；2) 按照酸腐蚀液中的各化学成分的质量百分比配制混酸，其溶质的质量百分比范围为：氢氟酸（HF）：4.38～7.29%，硝酸（HNO3）：32.4～36.6%，醋酸（CH3COOH）：21.9～31.2%； 3) 将研磨后的单晶硅晶圆片按每2片为一组插片，将2片单晶硅晶圆片的负解理面相对，插入酸腐机滚筒的每个卡槽中；4) 选择适当工艺进行腐蚀：酸腐蚀液的温度保持在25～40℃范围内；在酸腐蚀过程中，利用一定流量的循环酸腐蚀液的方式将产生的反应热迅速带走来维持反应温度的稳定，从而保证腐蚀速率的相对稳定，混酸在酸腐机混酸槽中循环，混酸循环量保持在180～400L；在酸腐蚀的全过程中，选择在距离滚筒竖直方向50～150mm的位置向酸腐蚀液槽中吹流量为100～300L/min、压力为80～300Pa的氮气，以防止酸腐蚀硅片的花片现象；5) 在每回合腐蚀结束后，需排放2～5L的酸腐蚀液和补充1～4L量的新酸腐蚀液以维持酸腐蚀成分的动态平衡，从而保持混酸浓度及比例的相对稳定，从而有效缩小不同回合生产的酸腐蚀片去除量的散差；6) 腐蚀结束后，将每组的2片硅片正解理面朝向片篮U面，负解理面朝向片篮H面放置好，进行检验测量，然后包装。