[发明专利]一种通过碱腐蚀改善硅片腐蚀表面外观的加工工艺无效
| 申请号： | 201210508281.2 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103021832A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张俊生;刘沛然;齐钊;刘博;李晓东 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种修复硅片表面的碱腐蚀片加工工艺，包括如下步骤：步骤一、配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%-60%的KOH或NaOH与去离子水进行配制；步骤二、腐蚀温度：105℃至115℃；步骤三、腐蚀时间：1分钟至10分钟；步骤四、腐蚀去除量：4微米至10微米，本发明的优点及效果：本发明是通过调整碱腐蚀工艺之后，成功制备出修复硅片表面的单晶硅碱腐蚀片，降低半导体制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 腐蚀 改善 硅片 表面 外观 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种通过碱腐蚀改善硅片腐蚀表面外观的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（一）、配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%‑60%的KOH或NaOH与去离子水进行配制；（二）、腐蚀温度：105℃至115℃；（三）、腐蚀时间：1分钟至10分钟；（四）、单晶硅碱腐片去除量：4微米至8微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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