[发明专利]肖特基二极管无效
| 申请号： | 201210509046.7 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103035751A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，其中，所述二氧化硅层的厚度大于1000埃，多晶硅区与所述金属层通过金属线连接。本发明的肖特基二极管，在深沟槽中填充的二氧化硅层厚度大于1000埃时能耐受80V以上的高压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，多晶硅区与所述金属层通过金属线连接，其特征是：所述二氧化硅层的厚度大于1000埃。
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