[发明专利]坩埚下降法晶体生长炉的下降装置有效
| 申请号： | 201210509805.X | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103046115A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 臧春雨;臧春和;姜晓光;李毅;葛济铭;万玉春;贾志旭 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 坩埚下降法生长晶体炉的下降装置，适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长，属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动，通过坩埚形成对晶体生长的干扰，降低了晶体质量。本发明之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于，升降杆下端的活塞位于液压缸中；位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部，另一端通向储油槽；安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接，降速控制器与滴油阀的控制部分连接。采用本发明下降法生长无掺杂LiCaAlF6晶体，晶体直径20 mm、长度200 mm，单晶结构完整，劈裂获得的晶体解理面光滑平整，切割截取晶体中部测量，其应力双折射小于10 nm/cm，吸收系数小于2×10E-3，损伤阈值得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 下降 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种坩埚下降法晶体生长炉的下降装置，其特征在于，升降杆（1）下端的活塞（2）位于液压缸（3）中；位于液压缸（3）底部的滴油阀（4）一端通向液压缸（3）内部，另一端通向储油槽（5）；安装在临近升降杆（1）侧壁处的位移传感器（6）与降速控制器（7）连接，降速控制器（7）与滴油阀（4）的控制部分连接。
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