[发明专利]制造谐振式传感器的方法

摘要

一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

主权项

一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，所述方法包括：（a）提供SOI衬底（101），所述SOI衬底包括：第一硅层；在所述第一硅层上的氧化硅层；以及在所述氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用所述氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻所述第二硅层，来形成穿过所述第二硅层的第一间隙（37）和第二间隙（38）；（c）在所述第二硅层上形成杂质扩散源层（401），其中所述杂质扩散源层配置成将杂质扩散至所述第二硅层中；（d）通过针对所述SOI衬底进行热处理对来自所述杂质扩散源层的杂质进行扩散来在所述第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层（402）；（e）通过蚀刻去除所述杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除所述氧化硅层的至少一部分，以便在所述第一硅层与所述第二硅层的由所述第一间隙和所述第二间隙围绕的区域之间形成空气间隙，其中所述第二硅层的由所述第一间隙和所述第二间隙围绕的所述区域用作所述振动梁。