[发明专利]用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法无效
| 申请号： | 201210510461.4 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103852821A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;刘鹏;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法，步骤包括：1）在硅基板背面淀积二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积二氧化硅硬掩膜；3）通过光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔的图形；4）通过高选择比各向异性干法刻蚀工艺形成倒漏斗型硅穿孔；5）去除以上各刻蚀步骤中形成的聚合物；6）湿法刻蚀去除二氧化硅膜。本发明通过高选择比的干法刻蚀工艺刻穿硅基板，在硅基板背面形成喇叭口圆孔作为光纤对准基座阵列，不仅有效减少了工艺流程，节约了成本，而且提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光纤 对准 基座 穿孔 制作方法 | ||
【主权项】：
用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法，其特征在于，步骤包括：1）在硅基板背面淀积一层二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积一层二氧化硅硬掩膜；3）通过光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔的图形；4）通过高选择比各向异性干法刻蚀工艺形成倒漏斗型硅穿孔；5）去除以上各刻蚀步骤中形成的聚合物；6）湿法刻蚀去除二氧化硅膜。
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