[发明专利]晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法

摘要

晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法，是将硼或磷掺入锗或/和锡母合金中，通过测量硅片电阻率，确定锗或/和锡的浓度。本发明采用将磷或硼掺入锗锡母合金中，建立母合金电阻率与锗锡杂质浓度的关系，通过测量母合金的电阻率即可确定锗锡杂质的浓度，方法简单，操作方便，解决了目前锗锡母合金浓度检测困难的问题，不仅降低了生产成本，且提高了生产效率。

主权项

晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法，其特征在于，将硼或磷掺入锗或/和锡母合金中，通过测量硅片电阻率，确定锗或/和锡的浓度，具体包括以下步骤：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中同时掺入硼或磷、锗或/和锡，采用常规的直拉单晶制造法，形成硅熔体，在氩气保护气氛下，制得母合金硅棒；步骤2.将步骤1中所得母合金硅棒切割成母合金硅片，再进行清洗；步骤3.利用四探针法测量步骤2所得母合金硅片的电阻率ρ，依据硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算公式，计算母合金硅片中硼或磷的掺杂浓度。步骤4.利用晶体中分凝计算公式（1）得出取样母合金硅片在母合金晶棒上所处的体积分数g，Cs＝C0Ke(1‑g)(Ke‑1)          (1)式中：Cs——母合金硅棒中硼或磷的掺杂浓度cm‑3；C0——硅熔体中硼或磷的浓度cm‑3；Ke——硼或磷的分凝系数；g——硼或磷的体积分数；步骤5.将步骤4计算所得g值、锗或锡的分凝系数Ke1和硅熔体中的锗或锡浓度C01，代入公式（1）计算可得母合金硅片中锗或锡杂质的浓度Cs1。