[发明专利]用于微电子装置中接合的掺杂4N铜线无效
| 申请号： | 201210511150.X | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103151091A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 穆拉利·萨兰加帕尼;杨平熹;欧根·米尔克 | 申请（专利权）人： | 贺利氏材料科技公司 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约10wt.ppm与约80wt.ppm之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 装置 接合 掺杂 铜线 | ||
【主权项】：
一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约10wt.ppm与约80wt.ppm之间。
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