[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210512717.5 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103035729A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在多晶硅栅极和漂移区之上依次具有第三氧化硅和栅掩蔽层。在漂移区中还具有局部氧化结构，其一端与漏区相邻，另一端与所述第三氧化硅相邻且在栅掩蔽层之下。本发明还公开了其制造方法。由于新增了局部氧化结构，本发明可以在获取高击穿电压的同时，适当降低导通电阻和寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，在多晶硅栅极和漂移区之上依次具有第三氧化硅和栅掩蔽层；其特征是，在漂移区中还具有局部氧化结构，其一端与漏区相邻，另一端与所述第三氧化硅相邻且在栅掩蔽层之下。
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