[发明专利]光纤对准基座阵列的制造方法

摘要

本发明公开了一种光纤对准基座阵列的制造方法，包括步骤：制作光刻版。在硅晶圆的背面生长氧化硅薄膜一。在硅晶圆的正面生长氧化硅薄膜二。在硅晶圆的背面氮化硅薄膜三。在硅晶圆的正面涂布光刻胶，并进行曝光显影。进行氧化硅薄膜二刻蚀形成硬质掩膜层。进行硅刻蚀形成硅通孔。对硅通孔底部的氧化硅薄膜一进行刻蚀。去除光刻胶和刻蚀反应聚合物。将硅晶圆背面的所述氮化硅薄膜三去除。将氧化硅薄膜一和二去除，形成光纤对准基座阵列。本发明能形成精度高、体积小的光纤对准基座阵列，且工艺稳定、产量高，能消除生产过程中红外线扫描装置扫描硅晶圆时的故障、从而能适用大规模的自动化生产、提高生产设备的使用率并提高生产效率。

主权项

一种光纤对准基座阵列的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在光刻版上画出光纤对准基座阵列图形，该光纤对准基座阵列图形定义出光纤对准基座的孔的尺寸和排列阵列；步骤二、在硅晶圆的背面生长一层氧化硅薄膜一；步骤三、在所述硅晶圆的正面生长一层氧化硅薄膜二；步骤四、在所述硅晶圆的背面的所述氧化硅薄膜一的表面生长一层氮化硅薄膜三；步骤五、在所述硅晶圆的正面的所述氧化硅薄膜二的表面涂布光刻胶，用所述光刻版对所述光刻胶进行曝光显影并形成光刻胶图形，所述光纤对准基座阵列图形转移到所述光刻胶图形中；步骤六、以所述光刻胶图形为掩膜在介质膜干法刻蚀机台中对所述氧化硅薄膜二进行刻蚀形成硬质掩膜层；步骤七、以所述光刻胶图形和所述硬质掩膜层为掩膜，在硅干法刻蚀机台中对所述硅晶圆进行硅刻蚀形成硅通孔，所述硅通孔的刻蚀停止在所述氧化硅薄膜一的上表面上；步骤八、所述硅通孔形成后，在介质膜干法刻蚀机台上对所述硅通孔底部的所述氧化硅薄膜一进行刻蚀并停止在所述氮化硅薄膜三的上表面上；步骤九、所述氧化硅薄膜一的刻蚀完成后，在去胶机台中去除所述光刻胶和刻蚀反应聚合物；步骤十、在湿法酸槽中进行刻蚀将所述硅晶圆背面的所述氮化硅薄膜三去除；步骤十一、在湿法酸槽中进行刻蚀将所述氧化硅薄膜一和所述氧化硅薄膜二去除，形成由所述硅通孔组成的光纤对准基座阵列。