[发明专利]用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法

摘要

本发明涉及用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，利用激光加工的刻蚀掩模板作为掩模层，对石英表面的残余金属和光刻胶进行等离子体刻蚀，刻蚀过程由清洗、对版、残余光刻胶刻蚀、残余金属刻蚀四个步骤组成，对版过程类似于接触式光刻中的图形对准工序，通过预先加工好的对准标记实现不锈钢板与元件晶片的对准，本发明克服了通过过曝光、过显影和过腐蚀去除微掩模引起的结构图形失真，保持了光刻的高精度，并融合了物理轰击和化学作用，刻蚀方向性好、速率和选择比高，去除微掩模效果明显，且操作简单，成本低，对于提高压电石英元件湿法腐蚀表面光洁度具有重要意义。

主权项

用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于包括如下步骤：步骤(一)、在刻蚀掩模板(5)上加工出镂空图形，并将刻蚀掩模板(5)与衬板(9)、紧固螺钉(10)、元件晶片(3)、压板(8)进行装配，得到等离子体刻蚀夹具，具体装配方法如下：(a)、将刻蚀掩模板(5)与压板(8)真空吸合；(b)、将元件晶片(3)放置于刻蚀掩模板(5)下方，与刻蚀掩模板(5)保持一定间隙；(c)、将刻蚀掩模板(5)上的镂空图形与元件晶片(3)上通过金属掩蔽膜图形化后获得的需要进行微掩模去除的图形对准；(d)、将元件晶片(3)与刻蚀掩模板(5)接触并真空吸合；(e)、将衬板(9)与元件晶片(3)接触，紧固螺钉(10)穿过压板(8)和衬板(9)将各层锁紧；步骤(二)、将等离子体刻蚀夹具装入微波氧等离子体去胶机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余光刻胶刻蚀，之后再将等离子体刻蚀夹具装入Ar离子束刻蚀机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余金属刻蚀。