[发明专利]一种增强静态随机存储器写操作的电路有效
| 申请号： | 201210513335.4 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102969019A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 拜福君;亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强静态随机存储器写操作的电路，写操作时，写‘1’的位线上的电压高于存储单元的电源电压，写‘0’的位线上的电压低于存储单元的地电压。本发明在写操作时，第一位线与第二位线之间的最大电压差将增大，即使经过位线的传输导致了一定的电压损失，但仍然比不采用多电压或者仅采用负电压的技术方案在被选中的存储单元处能获得更大的电压差，从而更迅速、可靠的覆盖存储单元中的原有数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 静态 随机 存储器 操作 电路 | ||
【主权项】：
一种增强静态随机存储器写操作的电路，其特征在于，写操作时，写‘1’的位线上的电压高于存储单元的电源电压，写‘0’的位线上的电压低于存储单元的地电压。
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