[发明专利]一种带有波长选择层的半导体激光芯片结构

摘要

本发明涉及一种带有波长选择层的半导体激光芯片结构，该结构采用多对交替生长的两种不同折射率光学厚度为输出激光波长的1/4的材料组成。波长选择对激光器输出波长进行选择，是通过控制交替生长的两种材料的组份，改变折射率实现对波长的选择。该结构可以实现激光输出中心波长光谱宽度的压缩，并最终获得高功率输出。

主权项

一种带波长选择层的半导体激光芯片结构，其特征在于：在衬底(1)材料上，采用金属有机化学气相沉积法进行外延层生长，依次生长的N型掺杂的限制层(2)，N型掺杂的波长选择层(3)，N型掺杂的波导层(4)，量子阱(5)，P型掺杂的波导层(6)，P型掺杂的波长选择层(7)，P型掺杂的限制层(8)。