[发明专利]一种ROM半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201210514147.3 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855159A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ROM半导体器件及其制备方法，所述方法包括：半导体衬底，包括有源区和浅沟槽隔离区；至少两个栅极结构，其中一个所述栅极结构位于所述有源区上，其具有正常值的阈值电压，另外一个所述栅极结构位于所述浅沟槽隔离区上，其具有高于正常值的阈值电压；根据阈值电压的不同在所述器件中形成不同的储存区域，来定义只读存储器代码。本发明中通过在所述多个栅极结构下设置不同厚度的栅极介电层或者浅沟槽隔离，使其具有不同的阈值电压（Threshold voltage，VT），从而形成不同的储存区域和代码，实现不同代码的定义，所述方法中并没有增加额外的掩膜或者离子注入的步骤，工艺过程更加简单、容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rom 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ROM半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区和浅沟槽隔离区；至少两个栅极结构，其中一个所述栅极结构位于所述有源区上，其具有正常值的阈值电压，另外一个所述栅极结构位于所述浅沟槽隔离区上，其具有高于正常值的阈值电压；根据阈值电压的不同在所述器件中形成不同的储存区域，来定义只读存储器代码。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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