[发明专利]一种电可编程熔丝结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210514582.6 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855076A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;俞少峰;朱志炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电可编程熔丝结构及其制备方法，包括：提供半导体衬底以及位于所述衬底上的介电层；在所述介电层上形成半导体材料层；图案化所述半导体材料层，以形成熔丝元件、虚拟熔丝元件、第一端部和第二端部，其中所述第一端部和所述第二端部通过所述熔丝元件和虚拟熔丝元件相连；去除部分所述虚拟熔丝元件，以使所述第一端部和所述第二端部之间虚拟熔丝元件断开。本发明在衬底上形成靠近熔丝元件的虚拟熔丝元件，通过所述方法使制备得到的熔丝元件的长度和宽度都进一步降低，达到了28nm器件的需求，而且在衬底上形成靠近熔丝元件的虚拟熔丝元件可以在蚀刻制备熔丝结构时得到具有良好均一性的熔丝结构，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可编程 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电可编程熔丝结构的制备方法，包括：提供半导体衬底以及位于所述衬底上的介电层；在所述介电层上形成半导体材料层；图案化所述半导体材料层，以形成熔丝元件、虚拟熔丝元件、第一端部和第二端部，其中所述第一端部和所述第二端部通过所述熔丝元件和虚拟熔丝元件相连；去除部分所述虚拟熔丝元件，以使所述第一端部和所述第二端部之间虚拟熔丝元件断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
