[发明专利]带有垂直栅极结构的器件

摘要

本发明涉及了一种器件，该器件包括晶圆衬底、形成在晶圆衬底中的截顶圆锥结构和围绕着截顶圆锥结构的中部的栅极全包围(GAA)结构。该截顶圆锥结构包括形成在截顶圆锥底部的漏极、形成在垂直截顶圆锥的顶部的源极和形成在截顶圆锥的中部的接触源极和漏极的沟道。GAA结构在GAA结构的一侧与源极相重叠，并且在GAA结构的另一侧与漏极相重叠。本发明还提供了一种带有垂直栅极结构的器件。

主权项

一种器件，所述器件包括：晶圆衬底；截顶圆锥结构，形成在所述晶圆衬底中，其中，所述截顶圆锥结构包括形成在所述截顶圆锥结构的底部的漏极、形成在所述截顶圆锥结构的顶部的源极和形成在所述截顶圆锥结构的中部且连接所述源极和所述漏极的沟道；以及栅极完全包围(GAA)结构，围绕所述截顶圆锥结构的中部，其中，所述GAA结构在所述GAA结构的一侧与所述源极相重叠，越过所述沟道，并且在所述GAA结构的另一侧与所述漏极相重叠。