[发明专利]用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺有效
| 申请号： | 201210514958.3 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456789A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 曾建贤;伍寿国;陈嘉展;吴国裕;杨道宏;钟敏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底，位于半导体衬底中的阱区和金属氧化物半导体(MOS)器件。MOS器件包括与阱区重叠的栅极电介质、位于栅极电介质上方的栅电极和位于所述阱区中的源极/漏极区域。源极/漏极区域和阱区具有相反的导电类型。远离栅电极的第一源极漏极区域的边缘接触阱区以形成结绝缘。本发明还提供了一种用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 绝缘 区域 对准 注入 工艺 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；阱区，位于所述半导体衬底中；以及金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：栅极电介质，与所述阱区重叠；栅电极，位于所述栅极电介质上方；和第一源极/漏极区域，位于所述阱区中，所述第一源极/漏极区域和所述阱区具有相反的导电类型，并且所述第一源极/漏极区域的远离所述栅电极的边缘接触所述阱区以形成结绝缘。
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