[发明专利]一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210516089.8 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN102943198A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 王晓军;沈明杰;王乃舟;胡小石;吴昆;郑明毅 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C22C32/00 分类号: C22C32/00;C22C23/00;C22C1/10
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 高会会
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法,它涉及一种碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术存在碳化硅颗粒和镁合金的相容性不好,导致碳化硅颗粒极易团聚的问题。方法:一、混合得到双尺寸碳化硅颗粒;二、先将双尺寸碳化硅颗粒放入半固态状态的镁基体里,经过搅拌、超声分散和压铸即得到双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。优点:一有效的解决碳化硅颗粒在基体里均匀分散困难的问题,充分发挥颗粒增强效果;二、力学性能显著的增加。本发明主要用于制备双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料。
搜索关键词: 一种 尺寸 碳化硅 颗粒 混杂 增强 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法,其特征在于一种双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料的制备方法是按以下步骤完成的:一、混合:首先将纳米尺度碳化硅颗粒和微米尺度的碳化硅颗粒混合均匀,得到双尺寸碳化硅颗粒;二、搅拌、超声波分散:首先在机械搅拌条件下将双尺寸碳化硅颗粒放入半固态状态的镁基体里,加入双尺寸碳化硅颗粒后继续搅拌4min~6min,并升温加热至700℃~720℃,得到混合熔体,然后在超声波辅助下对混合熔体进行超声分散,最后经压铸即得到双尺寸碳化硅颗粒混杂增强镁基复合材料;步骤一中所述的纳米尺度碳化硅颗粒与微米尺度的碳化硅颗粒的体积比为(5~30):1;步骤二中所述的双尺寸碳化硅颗粒与半固态状态的镁基体的的体积比为1:(2~10)。
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