[发明专利]一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201210517170.8 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103855173A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 叶交托;罗乐;徐高卫;王双福 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构,该封装方法包括:在一传感晶片的有源面形成第一钝化层;在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极;将传感晶片的有源面与一透明基板键合;在传感晶片的背面沉积第二钝化层,并在第二钝化层上刻出划槽标记;在划槽标记处制作凹槽;在传感晶片背面制作第三钝化层;在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔;制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面;制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层;在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端;在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
搜索关键词: 一种 图像传感器 圆片级 封装 方法 结构
【主权项】:
一种图像传感器的圆片级封装方法,其特征在于,所述图像传感器的圆片级封装方法包括:在一传感晶片的有源面形成第一钝化层;在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极;将包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面与一透明基板键合;在键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处制作凹槽,所述凹槽穿透所述传感晶片,露出第一钝化层;在包括凹槽的传感晶片背面制作第三钝化层;在所述凹槽底制作贯通所述金属煽出电极的通孔;利用光刻法制作金属互连线,使金属互连线通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面;制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层;在第四钝化层刻蚀开口,露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端;在所述第四钝化层开口处制作UBM层和焊锡凸点;所述焊锡凸点位于所述UBM层上。
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