[发明专利]闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210517352.5 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103000695A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 洪权;朴恩实 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种闪存器件及其制造方法。闪存器件的形成在浮置栅极和控制栅极之间的栅极电介质膜通过层叠氧化物膜和ZrO2膜来形成。因此，可以改善闪存器件的可靠性且同时确保高耦合率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：隧道电介质层，设置在衬底之上；浮置栅极，形成在所述隧道电介质层之上；栅极电介质层，形成在所述浮置栅极之上，所述栅极电介质层包括具有氧化物膜和ZrO2膜的堆叠结构；以及控制栅极，形成在所述栅极电介质层之上，其中该ZrO2膜接触该浮置栅极且该氧化物膜位于该ZrO2膜与该控制栅极之间。
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