[发明专利]包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路有效

专利信息
申请号: 201210518527.4 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN103151348B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/62
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马永利,卢江
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中,集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。
搜索关键词: 包括 功率 晶体管 辅助 集成电路
【主权项】:
一种集成电路,包括:功率晶体管,其具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子;辅助晶体管,其具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子,其中所述第一辅助负载端子电耦合到所述功率控制端子;以及电容器,其具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层,所述电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一,其中所述第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子;以及还包括二极管,其中二极管的阳极和第一辅助负载端子电耦合到功率控制端子,二极管的阴极和第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子;其中第二辅助负载端子、第二电容器电极和第二功率负载端子被直接地电连接。
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