[发明专利]包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路有效
申请号: | 201210518527.4 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103151348B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/62 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马永利,卢江 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中,集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。 | ||
搜索关键词: | 包括 功率 晶体管 辅助 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:功率晶体管,其具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子;辅助晶体管,其具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子,其中所述第一辅助负载端子电耦合到所述功率控制端子;以及电容器,其具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层,所述电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一,其中所述第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子;以及还包括二极管,其中二极管的阳极和第一辅助负载端子电耦合到功率控制端子,二极管的阴极和第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子;其中第二辅助负载端子、第二电容器电极和第二功率负载端子被直接地电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的