[发明专利]一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法

摘要

本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次旋涂，分层预热的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的性能，特别是具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）所制备的薄膜为非对称结构电容，可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。

主权项

一种Mn‑Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，其特征是：该方法包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积工艺方法制备Mn‑Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容，具体包括如下步骤：（1）以镀有ITO、AZO透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，并对衬底进行表面处理和清洗；（2）配制不同Mn、Zn成分配比的Mn‑Zn氧化物ZnMnO3、ZnMn2O4前驱体溶液； （3）将配制好的前驱体溶液滴到衬底上，再进行旋涂，制作湿膜；（4）对旋涂好的湿膜进行低温烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分； （5）将烘干处理过的薄膜进行预热处理；（6）重复上述步骤(3)‑(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的Mn‑Zn氧化物薄膜；（7）对上述Mn‑Zn氧化物薄膜在空气环境、一定温度下进行退火处理，使薄膜晶化；（8）样品自然冷却后即可获得Mn‑Zn氧化物电致阻变薄膜；（9）在Mn‑Zn氧化物电致阻变薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/ Mn‑Zn氧化物薄膜/透明导电氧化物薄膜”非对称透光阻变电容。