[发明专利]一种氮在碳纳米尖端中掺杂的有效方法有效
| 申请号： | 201210518918.6 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102976308A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王必本;全学军 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00;C09K11/65;B01J27/24;H01J1/304 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400054 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮在碳纳米尖端中掺杂的有效方法，在Si衬底上沉积一层金膜作为催化剂层，以CH4、H2和N2为反应气体，在利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备碳纳米尖端的过程中，将氮有效地掺入碳纳米尖端中；其中，金膜的厚度为5~30nm；反应气体中，CH4的浓度15~20%，H2的浓度50~65%，N2的浓度15~40%；衬底温度为800~900℃；反应室的工作压强为1500~3000Pa；偏压电流120~160mA；生长时间20~30分钟。本发明利用金催化剂层制备的碳纳米尖端为非晶碳纳米尖端，含氮量可达11%以上，有sp3C-N和sp2C-N成分。尤其是发现金催化剂颗粒位于碳纳米尖端的顶端，解决了碳纳米尖端顶端制备电极的困难，为它在发光二极管(LED)的应用奠定了基础。它将来可用作白光发光二极管(LED)、场电子发射器制备和光催化的候选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尖端 掺杂 有效 方法 | ||
【主权项】：
一种氮在碳纳米尖端中掺杂的有效方法，其特征在于，在Si衬底上沉积一层金膜作为催化剂层，以CH4、H2和N2为反应气体，在利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备碳纳米尖端的过程中，将氮有效地掺入碳纳米尖端中，金颗粒位于形成的碳纳米尖端顶端；其中，金膜的厚度为5~30 nm；反应气体中，CH4的浓度15~20%，H2的浓度50~65%，N2的浓度15~40%；衬底温度为800~900℃；反应室的工作压强为1500~3000Pa；偏压电流120~160mA；生长时间20~30分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆理工大学，未经重庆理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210518918.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
