[发明专利]固体电解电容器的制造方法有效
| 申请号： | 201210519230.X | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102983003B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 古川刚士;犬塚雄一郎 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 金仙华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固体电解电容器的制造方法，其包括：将表面具有电介体被膜的阳极体和阴极体卷绕，形成电容器元件的工序；使含有导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有导电性高分子层的电容器元件后，使之干燥，从而在导电性高分子层表面形成硅烷化合物层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 电解电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体电解电容器的制造方法，其包括：将表面具有电介体被膜并连接有引线接头的阳极体和连接有引线接头的阴极体卷绕，形成电容器元件的工序；使含有导电性高分子的前体单体和氧化剂的聚合液含浸电容器元件后，使前体单体聚合，从而形成导电性高分子层的工序；以及使硅烷化合物或含硅烷化合物的溶液含浸形成有导电性高分子层的电容器元件后，使之干燥，从而在导电性高分子层表面形成硅烷化合物层的工序，其中在所述形成硅烷化合物层的工序中，在形成于所述电容器元件的外周侧的导电性高分子层的表面形成硅烷化合物层，在所述阳极体和所述阴极体的空隙间形成的导电性高分子层中的硅烷化合物浓度控制得低。
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