[发明专利]超结的制作方法无效
| 申请号： | 201210519863.0 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103854999A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;张文亮;田晓丽;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/261;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超结的制作方法，包括：提供一轻掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成P型重掺杂区或N型重掺杂区，退火处理；或提供第一类型重掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成第二类型重掺杂区，退火处理。本申请所提供的超结的制作方法简化了制作流程，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超结的制作方法，其特征在于，包括：提供一轻掺杂衬底；以具有P型重掺杂区图形的第一掩膜版为掩膜，采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成P型重掺杂区；以具有N型重掺杂区图形的第二掩膜版为掩膜，采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成N型重掺杂区；退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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