[发明专利]一种多元金属掺杂无氢类金刚石碳膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210519901.2 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN102965619A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 岳文;王松;付志强;王成彪;于翔;彭志坚 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种多元金属掺杂的无氢类金刚石碳膜的制备技术。利用离子束辅助沉积技术,采用多元镶嵌金属靶(溅射区3内镶嵌块2镶嵌于基础靶材1上构成)与石墨靶进行双靶溅射,在工件表面沉积制备多元金属掺杂类金刚石薄膜。其具体步骤包括:准备镶嵌靶、将工件表面离子清洁和活化、沉积制备多元金属掺杂无氢类金刚石薄膜。与现有技术相比,本发明方法所制备的薄膜具有较高的硬度、膜基结合力、弹性模量、抗磨性能和热稳定性能,同时可对掺杂组分进行调整,能够满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求,提高其可靠性。适用于硅和各类金属工件的表面处理。
搜索关键词: 一种 多元 金属 掺杂 无氢类 金刚石 制备 方法
【主权项】:
一种多元金属掺杂无氢类金刚石薄膜的沉积制备方法,,其特征在于:采用多元金属镶嵌靶,该镶嵌靶在溅射区3内,使用镶嵌块2均匀镶嵌于基础靶材1上构成,该方法依次包括以下步骤: a、根据需求准备不同组成的金属镶嵌靶以及高纯度石墨靶,并安装在旋转水冷靶台上; b、将待处理表面进行洁净处理后固定于设备真空室的样品台上; c、将真空室抽真空至本底真空,持续通入反应气体,气体通入过程中真空室气压保持稳定在一定范围; d、开启工件转盘,开启离子源和辅助源,溅射清除靶材及待处理表面污染物后开始沉积多元金属掺杂无氢类金刚石薄膜; e、关闭工件转盘,等待温度充分降低之后取出样品。
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