[发明专利]反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201210519904.6 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103014863B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘颖;龙西法;李修芝;王祖建;何超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途。该单晶具有典型钙钛矿结构，其化学式为Pb(Lu1/2Nb1/2)O3。所述的单晶采用高温溶液法或顶部籽晶法生长并且生长出的为晶体显露（001）及（111）自然生长面的立方体和八面体聚形晶体。通过X‑射线粉末衍射、介电和铁电测量，分析了其结构、介电和反铁电性。该晶体有典型的反铁电性能，并且有高的居里温度和较好的热稳定性，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁电单晶铌镥酸铅 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
反铁电单晶铌镥酸铅，该单晶化学式为Pb(Lu1/2Nb1/2)O3，具有超晶格结构，属于典型的钙钛矿型晶体；所述反铁电单晶的形貌为显露(001)及(111)自然生长面的立方体和八面体的聚形晶体；所述反铁电单晶的居里温度为240℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210519904.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
