[发明专利]一种金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210519914.X | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102994964A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 岳文;王松;付志强;王成彪;于翔;彭志坚 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(北京) |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜的制备方法，特征是利用惰性气体离子束同时溅射含硫复合靶与石墨靶，同时离子束辅助轰击工件表面沉积制备金属硫化物掺杂类金刚石薄膜。具体实施步骤为：首先使用去离子水超声波清洗工件表面，利用惰性气体离子束对材料及靶材表面进行溅射清洗，然后利用溅射离子束溅射制备金属过渡层，再在过渡层上制备金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜。本发明制备的薄膜在力学与摩擦学性能上相对其他方法制备的薄膜有很大的提高，并且具有制备工艺简单，重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 硫化物 掺杂 金刚石 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜的制备方法，特征在于：将离子束刻蚀与离子束辅助沉积技术结合起来，制备金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜，该方法依次包括以下步骤：a、首先使用去离子水利用超声波清洗技术去除工件表面污染物；b、将工件置于真空室内样品台上，抽真空至本底真空后通入工质气体；c、利用离子源产生的惰性气体离子束分别对工件以及靶材表面进行离子束刻蚀清洗；d、开启开启溅射源与辅助源溅射沉积制备过渡层；e、在沉积的过渡层上利用双溅射源分别溅射石墨靶与金属硫化物复合靶沉积制备金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜；
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