[发明专利]一种低噪声放大器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210520022.1 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102946231B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声放大器及其制造方法，低噪声放大器包括电感及其他器件，所述电感及其他器件形成在衬底的电感区域及其他器件区域上，所述电感区域被所述其他器件区域隔开，所述电感区域下方形成高阻衬底隔离区，且所述电感区域周围设置环状的n阱接地保护层，所述n阱接地保护层环绕所述其他器件区域。本发明可解决低噪声放大器模块与其他模块间噪声干扰的问题，更能有效降低噪声系数以提高低噪声放大器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，包括电感及其他器件，所述电感包括第一电感和第二电感，所述第一电感、第二电感及其他器件分别形成在衬底的第一电感区域、第二电感区域及其他器件区域上，所述第一电感区域和第二电感区域下方均形成高阻衬底隔离区，其特征在于，所述衬底的第一电感区域和第二电感区域分开排布且被所述其他器件区域隔开；所述第一电感区域和第二电感区域的周围设置环状的第一n阱接地保护层，且所述第一n阱接地保护层环绕所述第一电感区域、第二电感区域及所述其他器件区域。
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