[发明专利]一种深紫外光学薄膜基底的处理方法无效

专利信息
申请号: 201210520610.5 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN102989715A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 金春水;常艳贺;李春;邓文渊;靳京城 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 张伟
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种深紫外光学薄膜基底的处理方法,包括以下步骤:在第一超声波水槽中加入洗涤剂,将基底在该第一超声波水槽中进行清洗;将基底按照频率由低到高,依次放入频率不同的多个超声波水槽内进行清洗;在慢拉脱水水槽中对基底进行慢拉脱水;对基底进行高纯氮气吹干;对基底进行紫外灯辐照处理。本发明的深紫外光学薄膜基底的处理方法,能够实现亚微米级以上的污染物粒子清洗及表面碳氢化合物的有效去除;由于优化选择了超声波的清洗频率,使清洗后的软性基底表面粗糙度和光学性能不受影响;在清洗过程中,不使用易燃易爆的有机溶剂清洗,避免了传统手工擦拭对实验员的人体毒害。
搜索关键词: 一种 深紫 光学薄膜 基底 处理 方法
【主权项】:
一种深紫外光学薄膜基底的处理方法,该方法适用的处理装置包括频率不同的多个超声波水槽和慢拉脱水水槽,其特征在于,包括以下步骤:步骤i:在第一超声波水槽中加入洗涤剂,将基底在该第一超声波水槽中进行清洗;步骤ii:将基底按照频率由低到高,依次放入频率不同的多个超声波水槽内进行清洗;步骤iii:在慢拉脱水水槽中对基底进行慢拉脱水;步骤iv:对基底进行高纯氮气吹干;步骤v:对基底进行紫外灯辐照处理。
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