[发明专利]一种生产有机发光二极管用氧化铟的方法有效
| 申请号： | 201210521065.1 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102936035A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 赵科湘 | 申请（专利权）人： | 株洲科能新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 株洲市奇美专利商标事务所 43105 | 代理人： | 刘国鼎 |
| 地址： | 412000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生产有机发光二极管（OLED）用氧化铟的方法。本发明的目的在于提供一种生产有机发光二极管用氧化铟的方法。本发明的特征在于以下步骤：A、将精铟、催化剂和纯水按重量固液比1:0.001：5的比例加入反应釜中，在270-370℃下加热，在4-20MPa下加压，使纯水处于超临界状态；B、搅拌30分钟，使铟完全变成氢氧化铟；C、将步骤B得到的氢氧化铟在450-650℃下煅烧，即制得氧化铟。所述的精铟的纯度为99.995%。所述的纯水为电导率等于18.25兆欧/厘米的纯水。本发明主要用于生产OLED用氧化铟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 有机 发光 二极 管用 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种生产有机发光二极管用氧化铟的方法，其特征在于以下步骤：A、将精铟、催化剂和纯水按重量固液比1:0.001：5的比例加入反应釜中，在270‑370℃下加热，在4‑20MPa下加压，使纯水处于超临界状态；B、搅拌30分钟，使铟完全变成氢氧化铟；C、将步骤B得到的氢氧化铟在450‑650℃下煅烧，即制得氧化铟。
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