[发明专利]锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，有源区在横向方向上分成两部分，在第一部分中形成有P型离子注入区组成的集电区、在第二部分中形成有N型离子注入区组成基区，集电区和基区在横向上形成接触；发射区由形成于基区表面部分区域中的P型离子注入区组成，发射区和集电区之间相隔有一横向距离，通过调节该横向距离调节基区的宽度，通过掺杂多晶硅引出集电极、发射极和基极。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、提高器件的性能，本发明无须额外的工艺条件，能够降低成本。

主权项

一种锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：所述有源区在横向方向上分成两部分，在第一部分中形成有第一P型离子注入区、在第二部分中形成有第二N型离子注入区，PNP三极管的集电区由所述第一P型离子注入区组成，所述PNP三极管的基区由所述第二N型离子注入区组成，所述集电区和所述基区在横向上形成接触；所述PNP三极管的发射区由形成于所述第二N型离子注入区表面部分区域中的第三P型离子注入区组成，所述发射区和所述基区相接触，所述发射区和所述集电区之间相隔有一横向距离，通过调节所述横向距离调节所述基区的宽度；在所述集电区上方形成有P+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述集电区相接触并引出集电极；在所述发射区上方形成有P+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述发射区相接触并引出发射极；在所述基区上方形成有N+掺杂的多晶硅，该多晶硅和所述基区相接触并引出基极。