[发明专利]电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法无效
| 申请号： | 201210521474.1 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103001121A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李艳平;冉广照;徐万劲;陈娓兮;秦国刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法。本发明的混合光源包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP硅波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。本发明的混合光源可以应用于大规模集成光互连芯片。与已有的光泵表面等离激元混合光源相比，具有能用电驱动和与硅基芯片相集成的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电泵键合硅基 表面 离激元 混合 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源，其特征在于包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。
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