[发明专利]一种改善各种衬底外延底层长晶质量的方法

摘要

一种改善各种衬底外延底层长晶质量的方法，本申请属于LED外延工艺技术领域，通过在高温处理衬底之前设立pre‑dose工步，对衬底预先进行氮化或非氮化处理，提高了高温条件下生长U型GaN薄膜的结晶质量，改善了均匀性，使得整个LED外延层的结构质量更高，同时降低了反向漏电，提高了亮度。解决了现有技术中底层均匀性不够好导致部分电性参数飘高，均匀性较差，易出现外观缺陷等问题。

主权项

一种改善各种衬底外延底层长晶质量的方法，包括：高温烘焙工步、生成缓冲层的工步、生成u型GaN的工步、生成N型GaN层的工步、生成量子阱层的工步、生成P型GaN层的工步以及生成欧姆接触层的工步，其特征在于：在所述高温烘焙工步之前，还存在一个预处理工步；所述预处理工步是在MOCVD反应腔内进行的，MOCVD反应腔内的温度为600‑800℃，MOCVD反应腔内包括TMGa源和NH3，TMGa源流量为50sccm，NH3流量为10000sccm，预处理的时间为40‑100秒。